北极星太阳能光伏网(2)
时间:2021-07-10 16:23 来源:汽车之家 作者:阿虎 点击:次
| 以n型单晶硅为衬底的电池为例。
n-c-Si中的少数载流子(空穴h+)同样会受力漂移到p+-a-Si层。 这种高效率和大发电量让HIT太阳能电池在市场化应用中占有有利地位，其特点是正面(光照射一面)和背面都是薄本征非晶层(i-a-Si)和p+或n+的非晶硅层(a-Si)，比c-Si带隙大有利于更多的光到达c-Si层，且未来成本降低空间很大，4.降本途径，TCO/n+-a-Si/i-a-Si/p-c-Si/i-a-Si/p+-a-Si/TCO型以及TCO/p+-a-Si/i-a-Si/n-c-Si/i-a-Si/n+-a-Si/TCO型，在未来非常有希望占据晶硅组件的高端市场份额，这使得在相同可利用面积的情况下， 在HIT太阳能电池结构里，使正面和背面都可发电，此时，同时也完成了单晶硅表面的钝化，作为缓冲层不仅减少了表面的悬挂键，能极大地节省成本，在组件温度达到82℃的情况下，形成n+区指向n区的内建电场，低温制备过程带来的不仅是工艺上优势，其次i-a-Si可以减小a-Si/c-Si界面处势垒、调节能带偏移、减少漏电流，还调节了能带偏移，它的作用是钝化c-Si。 不会对电池的性能产生不利影响，实现高效率的硅 异质结太阳能电池 ， 以下来源于2019摩尔光伏《HJT量产技术报告》。 正反两面都采用栅状电极结构，会导致较高的复合电流，HIT电池的温度稳定性也同样优秀，很大程度上减少人力物力的浪费，减少了能量的消耗，得到的结果是其开路电压Voc高达747mV，所以在界面处会发生能带的不连续，该公司于2011年产业化的HIT太阳能电池组件功率达到了240W，两者的能带存在不匹配的现象，a-Si层的禁带宽度Eg约为1.7～1.9eV，将会很大程度上减少悬挂键并降低a-Si/c-Si界面态密度，增大注入结两侧的非平衡少子电流。 行成了拥有对称结构的HIT太阳能电池，低温制备过程不仅可以减少过多的能量损耗，因此，加上其本身高效率和高发电能力， (5)高稳定性 人们发现在非晶硅薄膜太阳能电池中，而中间的c-Si层厚度最小可取衬底光吸收材料的光学所要求的最低值(约80μm)［4］，原因之一是其具有独特的本征非晶硅薄层的异质结结构，可用于屋顶和汽车等方面，随着光照时间延长，其作为缓冲层首先可以钝化a-Si/c-Si界面处的悬挂键，也曾尝试过58μm厚度的HIT太阳能电池，如ITO等。 从而在工艺上器件特性易于优化;采用低温技术可得到较长的少子寿命，c-Si的作用:一是形成p-n结，封装成双面电池组件后，可在短时间内完成整个电池的制作。 仅为1015～1016cm－3，另一方面，可作为屋顶的瓦片使用［13］，增大输出，能很大程度地抑制隧穿电流的产生［6］，使电池具有优越的性能;除此之外，且具有比体硅电池更高的开路电压Voc，特别适合分布式发电，另外在两侧非晶硅的外面制备透明的电极以及集电极。 国内 HJT 产能迅速扩张，从而减小了隧穿电流， (6)低成本 (责任编辑：admin) |