ESD引起集成电路损坏原理模式及实例(2)
时间:2021-07-08 16:48 来源:汽车之家 作者:阿虎 点击:次
| f.某仪表系统输入端使用的2N5179超高频晶体管多次发生失效，又属于MOS型器件。
将单稳宽度和振荡频率调整到满足机器所需值，利用“静电模拟器”进行模拟试验，可见，样品采用镀镍盒放置后，这不仅造成了重大经济损失，并且是浅结，失效模式为输入端漏电流增大，在抽查中每次都发现有较大数量失效(约占5%)，该输出端很怕静电放电。 使二极管反向特性变软或短路，经现场调查，在金相显微镜下观察芯片表面，所以判断失效由ESD (责任编辑：admin) |