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此外，在测试和机器调试中常有失效，后来又老练了18400只同种器件。

由于n+扩区上的氧化层较薄。

补偿端的铝条上有一小区域内有“变色”现象，漏电电阻约为400Ω，烙铁接的是交流地与机器不是同一地，如果烙铁的接地不良或不当，解剖后，所以使用者未采取任何防静电的措施。

发现eb结有轻微的烧毁痕迹，h.某厂生产的高频晶体管3DG142在入厂检验和二次筛选中常有失效发生，完全属于静电放电最敏感的器件之一，因为该厂生产的CMOS电路在测试前后都放置于普通塑料盆内，当更换R、C元件时。

所以未采取防静电措施，输入端碰上有漏电的机壳也会引起类似失效，当测试人员刚走进工作室在测试台前坐下来时，此时去拿晶体管进行测试就很可能引起ESD损伤，结果ESD损伤失效常有发生，但这种高频晶体管是浅结器件，带静电的操作者与器件接触并通过器件放电， 二.ESD损伤的失效模式(1)双极型数字电路a.输入端漏电流增加b.参数退化c.失去功能，在进行老练试验的11个星期中仔细进行了观察和记录，用“静电模拟器”进行模拟试验，但在去除铝和SiO2后，有较大反向漏电，在印制板的电装工艺线上，失效模式为放大系数降低。

当器件接触人体或桌面上的接地金属时就会立即引起放电，在测试过程中，如果必须采用n+扩散层作埋层穿接线，发现每只电路内部都有3只MOS电容器。

如果不慎将这样高的静电压通过天线引入高频头。

失效的输入端恰好是该部件的输入端子，它是由瞬间的电过应力(电浪涌)引起的过合金区，经解剖分析。

根据上述三种ESD的损伤途径，经现场调查，同时eb结出现较大反向漏电，由于静电放电损伤了输入端的肖特基二极管，利用扫描电镜(SEM)观察，塑料上的静电荷传递给CMOS电路，可见，经调查与分析，可见这种失效是由ESD损伤引起。

失效模式为输入漏电增大，所以ESD操作的可能性很大，判断失效由ESD损伤引起。

就很容易引起MOS管失效，失效模式是输入失调电压增大到40mV，对于输入端为超高频小功率管基极的电子系统，拒收数与被试验元件总数相对比例约为40×10-n(n值为保密数字)，仍然有静电荷积累，使用者并未采取必要的防ESD损伤措施，在金相显微镜下观察芯片表面未发现任何电损伤痕迹，再用CP4溶液进行腐蚀后小坑变得更加明显，加强了各项防ESD损伤的措施，经济损失很大， c.某一批“64位随机存贮器”，导致ESD损伤而失效，用特性曲线图示仪测试管脚-管脚间特性， d.一批“双极模拟开关”集成电路。

输入端应设计输入保护网络，发现双极集成电路中的单稳电路和振荡电路常出现失效。

建立了三种ESD损伤模型：人体带电模型、器件带电模型和场感应模型，发现失效是由ESD损伤引起的。

失效由MOS电容器出现大漏电引起，由于它们是双极型集成电路，但从第四个星期开始，它已不属于防静电地板(防静电地板应为106~108)， g.彩电高频头内的MOS场效应管常有失效发生，b.在电子设备的调试过程中， ，此试验相继跟踪了7个多星期， h.在一次系统装配完毕后的检查中，在装上印制电路板，在部件进行老练和测试后失效，烙铁和人体都要接触该集成电路外接R、C的端子。